机械工程学报

作者：方志强, 张扬泽, 吴甲民, 毛琛, 陈颖

单位：1. 华中科技大学材料科学与工程学院 武汉 430074;2. 华中科技大学材料成形与模具技术全国重点实验室 武汉 430074;3. 增材制造陶瓷材料教育部工程研究中心 武汉 430074;4. 温州HUST 先进制造研究所微波通信材料与设备重点实验室 温州 325035

关键词：SiC吸波陶瓷,激光选区烧结,化学气相反应法,碳化硅纳米线,吸波性能；

基金：国防科技大学新型陶瓷纤维及其复合材料重点实验室基金(6142907230301);中央高校基本科研业务费专项资金(15882024XCZX002,2024JCYJ068)资助项目

陶瓷基吸波材料由于其优良的化学稳定性、高温稳定性和较低的密度在提升武器装备隐身性能和解决电磁污染等问题上的重要地位日渐凸显。然而，传统的吸波涂层受限于设计维度和制备方法的局限性，不能兼顾结构-性能一体化的多样化需求。通过激光选区烧结(Selective laser sintering,SLS)技术辅以化学气相反应法(Chemical vapor reaction,CVR)引入原位自生SiC纳米线(SiCnw)，能够制备出综合性能良好的SiCnw/SiC吸波陶瓷。研究表明，当二茂铁质量分数为1时，试样的介电常数实部(ε′)提高，介电常数虚部(ε′′)出现了两个显著的共振峰，最小反射损耗(RL)在试样厚度3.4 mm，电磁波频率8.94 GHz时取得为?40.60 dB，最大有效吸波带宽(EAB)为13.53 GHz。本研究为结构-吸波一体化SiCnw/SiC吸波陶瓷吸波陶瓷的增材制造提供了新的思路。

来源：2025年第23期

《机械工程学报》期刊编辑部

查看机械工程学报杂志2025年第23期