机械工程学报

作者：王美玉, 张浩波, 胡伟波, 梅云辉

单位：1. 南开大学电子信息与光学工程学院 天津 300350;2. 南开大学深圳研究院 深圳 518000;3. 天津工业大学电气工程学院 天津 300387

关键词：三维封装,系统级封装,硅通孔,垂直互联；

基金：国家自然科学基金(52107198)、广东省自然科学基金(2023A1515011854)和中央高校基本业务费专项资金(63231154)资助项目。

随着系统复杂度的不断提高，传统封装技术已不能满足多芯片、多器件的高性能互联。而三维系统级封装(3D-system in package, 3D-SiP)通过多层堆叠和立体互联实现了芯片和器件的高性能集成。其中，硅通孔(Through silicon via, TSV)结构在3D-SiP中发挥着极为关键的作用。系统性的回顾了TSV技术的研究进展，包括TSV的技术背景、生产制造、键合工艺和应用特色，同时对比并总结了不同制造工艺和键合工艺的优缺点，如制造工艺中的刻蚀、激光钻孔、沉积薄膜和金属填充，键合工艺中的焊锡凸点制备、铜柱凸点制备和混合键合，讨论了TSV当前面临的挑战，展望了TSV未来的发展趋势。

来源：2024年第19期

《机械工程学报》期刊编辑部

查看机械工程学报杂志2024年第19期