国内刊号:11-2187/TH
国际刊号:0577-6686
发布日期:
作者:姜晨, 高睿, 郑泽希
单位:上海理工大学机械工程学院 上海 200093
关键词:半导体激光器,谐振腔,解理,各向异性,分子动力学;
基金:国家自然科学基金资助项目(51475310)。
针对GaAs基半导体激光芯片谐振腔面的超精密解理制造技术需求,开展GaAs材料解理加工分子动力学仿真及加工工艺实验研究。首先建立GaAs材料划片过程的分子动力学模型,研究[100]和[110]晶向的表面微观形貌及亚表面损伤深度,分析材料各向异性对划片形貌的影响机制;然后开展解理工艺实验对MD模型进行了验证,并分析解理面形貌的变化情况。仿真结果表明:相比于[100]晶向,[110]晶向上最大损伤宽度、划片宽度和亚表面损伤深度平均值分别降低5.23%、3.98%和2.61%,沿该晶向所得划片质量更优,此外最大损伤宽度、划片宽度和亚表面损伤深度均随划片深度增加而增加,而划片速度对GaAs表面形貌及亚表面损伤影响较小;通过工艺实验验证了MD仿真结果,并确认[110]为GaAs最佳解理加工晶向。
来源:2023年第5期
《机械工程学报》期刊编辑部